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存储器价格为什么居高不下?

2017-09-27 14:45:16

市场分析师表示,动态随机存取存储器(DRAM)和NAND的价格今年一直居高不下,而且未来的价格预估计还会更进一步上涨。许多人以为目前的存储器市场情况只是暂时的供需不平衡?;蛘?,他们以为当3D NAND快闪存储器(flash)的制造技术逐渐成熟后,就能解决目前的存储器市场价格高涨的情况。但是,以DRAM的市况而言,没人能知道DRAM供应何时会改善。
  
从需求面来看,虽然一些细分市场正在成长,但并未出现杀手级的应用或是特别繁荣的细分市场。因此,问题应该就出在供应面。
  
美光(Micron)表示,2017年DRAM供给位元预计成长15-20%,可说是近20年来最低的位元成长率(bit growth)。如此低的位元成长率,主要是因为DRAM微缩限制。市场上有很长一段时间都没有任何有关DRAM微缩的消息了。当供给位元成长低于45%时,这时就是卖方的市场了。因此,DRAM的寡头垄断、低位元成长率,以及制造扩张迟缓,导致长期的供应吃紧。最终的局面可能就是DRAM的价格不断上涨,而供应面却不会有任何改变。
  
                                              

                                             
                                             


NAND市场竞争非常激烈?;?D NAND将大幅提高生产力的市场预期,所有的NAND厂商都投入了数十亿美元于3D NAND制造。因此,供应过剩估计会持续一段时间。但是,这种期待只是一种假象。3D NAND的制造比大家想像的要困难得多。目前,几家NAND供应商都得努力地推出3D NAND。

许多分析师预计,大约在2018年底,当64层和96层3D NAND快闪存储器的制造趋于成熟时,市场供应紧张的情况将会得到缓解。所以,明年将会有足够的NAND供应吗?如图所示,平面NAND的横向微缩(即摩尔定律)以2的N次幂方式呈指数级增加位元单元。相对地,3D NAND的单元层数(即垂直微缩)则线性增加位元单元。目前,根据摩尔定律,平面NAND符合位元单元的指数级需求成长。然而,平面NAND面对微缩限制,3D NAND仅以线性位元成长率,将难以达到市场的需求。
  
综上所述的,存储器价格较高不再只是因为供需失衡。从现在开始,我们几乎不会看到存储器价格降下来,因为存储器价格如此居高不下,主要是因为存储器元件的微缩限制。


本文关键词:DRAM  存储器

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