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太空应用中多功能性工业级Everspin 4Mbit MRAM

2020-05-13 09:38:52

Everspin的合作伙伴CAES他们共同开发的Toggle MRAM在太空应用中的多功能性和性能。CAES是太空存储器市场的翘楚,并基于Everspin的技术交付生产级,符合太空要求的磁阻随机存取存储器(MRAM),为太空工业提供辐射硬化,高度可靠的非易失性不受单事件翻转(SEU),低压单事件闩锁(SEL)和单事件门破裂(SEGR)影响的存储器。该产品还在-40°C至+ 105°C的温度范围内提供无限的耐用性和超过20年的使用寿命。

 
Everspin 4 Mbit MRAM(磁性随机存取存储器)芯片由Everspin Technologies和IMU(惯性测量单元)芯片组成。新兴的MRAM技术结合了磁性材料和硅集成电路,形成了快速,可靠的非易失性RAM(NVRAM)。MRAM结合了具有扩展的温度操作,无限的耐久性和长久性的非易失性存储器。数据保留,即使断电也是如此。 Everspin的4Mbit MRAM器件取代了闪存和电池供电的SRAM。


由于MRAM耐辐射。为坚固的系统设计提供高温数据存储和访问以及高可靠性。在空间中对MRAM进行重新编程的能力允许对系统进行重新配置,而对耐久性,负载均衡或ECC开销没有任何限制。所以MRAM是非常适合使用于航空航天应用中。 



工业级Everspin 4Mbit MRAM
Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp MOQ(pcs)/ T&R
4Mb 256Kx16 MR2A16AYS35 44-TSOP 3.3V Commercial 1,500
4Mb 256Kx16 MR2A16ACYS35 44-TSOP 3.3V Industrial 1,500
4Mb 256Kx16 MR2A16AVYS35 44-TSOP2 3.3V Extended 1,500
4Mb 256Kx16 MR2A16AMYS35 44-TSOP2 3.3V AEC-Q100 Grade 1 1,500
4Mb 256Kx16 MR2A16AMA35 48-BGA 3.3V Commercial 2,000
4Mb 256Kx16 MR2A16ACMA35 48-BGA 3.3V Industrial 2,000
4Mb 256Kx16 MR2A16AVMA35 48-BGA 3.3V Extended 2,000
4Mb 512Kx8 MR2A08AYS35 44-TSOP 3.3V Commercial 270
4Mb 512Kx8 MR2A08ACYS35 44-TSOP 3.3V Industrial 270
4Mb 512Kx8 MR2A08AMYS35 44-TSOP 3.3V AEC-Q100 Grade 1 270
4Mb 512Kx8 MR2A08AMA35 48-BGA 3.3V Commercial 696
4Mb 512Kx8 MR2A08ACMA35 48-BGA 3.3V Industrial 696
4Mb 256Kx16 MR2A16AVYS35R 44-TSOP2 3.3v Extended 1500
4Mb 256Kx16 MR2A16AVMA35R 48-BGA 3.3v Extended 2000
4Mb 256Kx16 MR2A16ACMA35R 48-BGA 3.3v Industrial 1500
4Mb 256Kx16 MR2A16ACYS35R 44-TSOP2 3.3v Industrial 2000
4Mb 256Kx16 MR2A16AYS35R 44-TSOP2 3.3v Commercial 1500
4Mb 256Kx16 MR2A16AMA35R 48-BGA 3.3v Commercial 2000
4Mb 512Kx8 MR2A08AMYS35R 44-TSOP2 3.3v AEC-Q100 Grade 1 270
4Mb 512Kx8 MR2A08ACYS35R 44-TSOP2 3.3v Industrial 270
4Mb 512Kx8 MR2A08ACMA35R 48-BGA 3.3v Industrial 696
4Mb 512Kx8 MR2A08AYS35R 44-TSOP2 3.3v Commercial 270
4Mb 512Kx8 MR2A08AMA35R 48-BGA 3.3v Commercial 696
4Mb 256Kx16 MR2A16AMYS35R 44-TSOP2 3.3v AEC-Q100 Grade 1 1500
 
 

本文关键词: MRAM

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