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嵌入式MRAM关键应用与制造商

2020-03-19 09:36:24

STT-MRAM越来越多地被广泛用于嵌入式内存应用之中,STT-MRAM 具有的高存储密度、低能耗、低误率等优势使其有着巨大的优势。以取代闪存、EEPROM和SRAM,有多家逻辑组件IDM /晶圆代工厂正在提供嵌入式STT-MRAM解决方案:其中还包括台积电(TSMC,22nm ULL CMOS)、三星(Samsung,28nm FD-SOI)、GLOBALFOUNDRIES (22nm FD-SOI)、英特尔(Intel,22nm FinFET)。
 
从目前的市场角度来看,虽然现在的NAND和DRAM在未来几年占据主导地位,但是MRAM预计将会有显著成长。根据市场研究机构报告,到2024年的STT-MRAM市场可望达到 18亿美元规模(包括12亿美元规模的嵌入式方案,以及约6亿美元的独立组件),2018到2024年间的复合年成长率为85%,总产量超过30万片晶圆(wafer production volume),同期间复合年成长率为126%。



MRAM市场报告
 
未来我们将会看到嵌入式STT-MRAM 出现在诸如物联网(IoT)、微控制器(MCU)、汽车、边缘运算和人工智能(AI)等应用中。美国Everspin还提供了几种独立的MRAM产品,锁定包括航天、汽车、储存、工厂自动化、IoT、智慧能源、医疗和工业机器控制/运算等应用。英尚微电子作为EVERSPIN授权的总代理,不断给市场提供高质量的MRAM芯片,在数据中心和云存储,业汽车和运输市场中提供MRAM和STT-MRAM产品。  



Everspin  STT-MRAM  256Mb
Density Org. Part Number Voltage Speed Package Pack/Ship
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-150CBS1T 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA Tray
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-150CBS1R 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA Tape and Reel
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-150CBS2T 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA Tray
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-187CBS2T 1.5v +/- 0.075v 1066 BGA Tray
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-150CBS2T 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA Tray
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-187CBS2T 1.5v +/- 0.075v 1066 BGA Tray
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-150CBS2R 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA Tape and Reel
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-187CBS2R 1.5v +/- 0.075v 1066 BGA Tape and Reel
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-150CBS2R 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA Tape and Reel
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-187CBS2R 1.5v +/- 0.075v 1066 BGA Tape and Reel
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-150CBS1 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA Trays
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-150CBS1T 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA Tray
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-150CBS1R 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA Tape and Reel
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-150CBS1 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA Trays


本文关键词: MRAM

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