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国产SRAM芯片XM8A51216随机X型存储器

2020-04-29 17:42:03

       XM8A51216

XM8A51216采用异步SRAM接口并结合独有的XRAM免刷新专利技术,在大容量、高性能和高可靠及品质方面完全可以匹敌同类SRAM,具有较低功耗和低成本优势,可以与市面上同类型SRAM产品硬件完全兼容,并且满足各种应用系统对高性能和低成本的要求,XM8A51216也可以当做异步SRAM使用,称为新型国产SRAM芯片也不为过,
 
XM8A51216是基于TLC DRAM(三态 DRAM)和RFDRAM(免刷新DRAM)专利技术而成的新型存储器。与传统的DRAM和SRAM不同,
 
XM8A51216具有以下几个技术特点:
1、数据读取速率快于DRAM产品10倍,延时10ns左右;
2、容量覆盖Megabit到Gigabit;
3、可以节省40%左右的存储阵列功耗;
4、从用户端不需要考虑刷新机制,可以随时访问。
 
XM8A51216封装图

XM8A51216封装图


型号表

Density PartNumber BW bit Vdd Speed Package
64Mb XM8A04M16V33A X16 3.3V 10/12ns TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)
64Mb XM8A08M08V33A X8 3.3V 10/12ns TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)
32Mb XM8A02M16V33A X16 3.3V 10/12ns TSOP1(48)/BGA(48)
32Mb XM8A04M08V33A X8 3.3V 10/12ns TSOP1(48)/BGA(48)
16Mb XM8A01M16V33A X16 3.3V 10/12ns TSOP1(48)/BGA(48)
16Mb XM8A02M08V33A X8 3.3V 10/12ns TSOP1(48)/TSOP2(44)/BGA(48)
8Mb XM8A51216V33A X16 3.3V 10/12ns TSOP2(44)/TSOP1(48)
8Mb XM8A01M08V33A X8 3.3V 10/12ns TSOP2(44)/TSOP1(48)
4Mb XM8A25616V33A X16 3.3V 10/12ns TSOP2(44)/BGA(48)
4Mb XM8A51208V33A X8 3.3V 10/12ns TSOP2(44)/BGA(48)

本文关键词: XM8A51216

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