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eMRAM究竟是融合还是替代?

2020-03-31 09:52:40

eMRAM属于新型存储技术,同目前占据市场主流的NAND闪存相比较,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在边缘设备中具有替代NAND闪存和部分SRAM芯片的潜质。它在22nm的工艺下投产,将会加快新型存储技术的应用进程,未来发展前景将被看好。
 
新型存储器芯片具有更快的存取速度和更好的耐用性,更小的裸片尺寸及成本和功耗等性能优势。例如以统合式 MRAM 解决方案取代微控制器中的eFlash和SRAM,可节省90%的功耗。不过目前下一代存储器在量产制程方面仍然存在很多瓶颈。
 

eMRAM等新型存储器芯片将会取代DRAM和NAND FLASH成为市场主流吗?eMRAM只会取代部分DRAM和NAND的使用量,但仍是没有办法完全取代现有的存储器解决方案。在所有新一代存储器芯片中,eMRAM的电信特性与DRAM和NAND Flash来说是极其的相似,具备一定的优缺点,并未具备完全的替代DRAM和NAND Flash的性能。使用新一代存储器芯片对于传统平台来说,需要改变以往的平台架构才能适应,并不是可以轻松使用的。。
 
也就是说新一代存储器想要获得一定的市场空间,还需要与现有的存储器芯片解决方案进行配合,加快适应传统平台的架构,释放性能方面的优势。行业领先半导体供应商的EVERSPIN致力于生产研发MRAM,eMRAM存储芯片,满足市场的一切需求。
 
 
本文关键词:eMRAM

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