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?Microchip SPI串行SRAM和NVSRAM器件

2020-02-17 09:47:39

Microchip的SRAM和NVSRAM系列(SPI串行SRAM和NVSRAM设备)提供了一种轻松添加外部RAM的方式,且具有以下特性功能
 
特性
低功耗CMOS技术:4μA最大待机电流
 
标准4引脚SPI接口:芯片选择、数据输入、数据输出和时钟
 
无限写入存储器、零写入时间
 
提供备用电池(512Kb、1Mb)
 
32字节页面
 
高速SDI(2x)和SQI(4x)模式支持,高达80Mb/s
 
工业温度范围:-40°C至+85°C
 
小型8引线SOIC、TSSOP和PDIP封装
 
Microchip的串行SRAM系列提供了一种几乎能在任何应用上添加外置RAM的方法,这种方法成本相对低廉、操作简单。相比传统并行SRAM,这些8引脚串行器件的功耗更低,所用I/O连接数量更少。利用这些器件,设计人员可以使用更小的微控制器,而无需仅仅为了获得更大的板载RAM而改用更大的器件。零写入周期时间使这些器件非常适合于将图形、数据缓冲、数据记录、显示、数学、音频、视频和其它数据密集型功能卸载至独立SRAM。与标准SPI相比,SDI和SQI允许使用2倍和4倍数据速率。Microchip的SPI兼容型串行SRAM器件有64、256、512和1024Kb四种容量供用户选择。这些器件以低功耗实现高速性能,非常适合需要更大RAM的嵌入式应用。
 
此外,这些512Kb和1Mb器件还具有Vbat引脚用于电池备份,因此当外部电池或超级电容器连接到该引脚时,使器件具有非易失性。这些串行NVSRAM器件具备无限使用寿命和瞬时写功能,对于诸如量表、黑盒和数据记录器之类应用特别有用。

Microchip串行SRAM系列如下表
Density Part number Voltage Speed(MHz) Temp.-Range PKG
1Mb 23A1024 1.7 - 2.2V 20 -40℃ to +125℃ SOIC, PDIP, TSSOP
1Mb 23LC1024 2.5 - 5.5V 20 -40℃ to +125℃ SOIC, PDIP, TSSOP
1Mbit 23LCV1024 2.5 - 5.5V 20 -40°C to +85°C SPI,SDI
512Kb 23A512 1.7 - 2.2V 20 -40℃ to +125℃ SOIC, PDIP, TSSOP
512Kb 23LC512 2.5 - 5.5V 20 -40℃ to +125℃ SOIC, PDIP, TSSOP
512Kbit 23LCV512 2.5 - 5.5V 20 -40°C to +85°C SPI,SDI
256Kb 23A256 1.7-1.95V 16 -40℃ to +85℃ SOIC, PDIP, TSSOP
256Kb 23K256 2.7-3.6V 20 -40℃ to +85℃ SOIC, PDIP, TSSOP
64Kb 23A640 1.7-1.95V 16 -40℃ to +85℃ SOIC, PDIP, TSSOP
64Kb 23K640 2.7-3.6V 20 -40℃ to +85℃ SOIC, PDIP, TSSOP
 
 本文关键词:串行SRAM

上一篇文章:STT-MRAM取代DRAM


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