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STT-MRAM取代DRAM

2020-02-14 13:23:06

先进的SSD架构:STT-MRAM取代DRAM
随着STT-MRAM密度的增加,STT-MRAM有机会完全取代SSD架构中的DRAM(图1),从而提供更多高级功能,而只有在以DRAM速度运行的大量持久性内存中,这种能力才可能实现。
 

图1.STT-MRAM取代了高级SSD架构中的DDR
 
较小的SSD,通常使用平面FTL表,每兆字节的闪存存储需要大约1GB的ST-DDR。更大的SSD的趋势是使用多层分层表来减小DDR中保存的表大小。但是,仍然必须定期将这些表与其他控制器元数据一起写入缓存,这会使控制器的设计复杂化。这些分层解决方案的确提供了上电后恢复时间更快的附加优点,因为控制器不必等到从闪存加载整个平面表后就可以了。
 
要实现包括重复数据删除和压缩在内的高级功能,需要维护必要的表并将其存储在ST-DDR中。这些表还需要通过断电来维护,因此必须刷新到闪存,这会增加控制器设计的复杂性。

本文关键词:STT-MRAM

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