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Everspin为高性能存储系统首次推出Spin-Torque MRAM

2018-06-12 16:27:47


MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。
 
Everspin领先采样64Mb DDR3 ST-MRAM;与合作伙伴合作准备设计和制造生态系统
 
亚利桑那州钱德勒市 - 2012年11月12日 - Everspin Technologies在业界率先推出首款自旋扭矩磁阻RAM(ST-MRAM),这是一种新型高性能和超低延迟内存,预计将改变存储架构并有助于推动摩尔定律的不断演变。
 
STT-MRAM在速度、面积、写入次数和功耗方面能够达到较好的折中,因此被业界认为是构建下一代非易失性缓存和主存的理想器件。STT-MRAM的应用前景并不局限于传统的计算机存储体系,还能够扩展到其他诸多领域,甚至有望成为通用存储器。例如,宝马公司在发动机控制??椴捎肕RAM以保证数据在断电情况下不丢失。鉴于磁性存储具有抗辐射的优势,空客公司在A350的飞行控制系统中采用MRAM以防止射线造成数据破坏。此外,在物联网和大数据等新兴应用领域,泛在的传感器终端需要搜集海量数据,为节省存储功耗,使用非易失性存储器势在必行,STT-MRAM以其相对优良的性能成为热门的候选器件

产品列表:
Density
Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
1Mb 64Kx16 MR0A16AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 64Kx16 MR0A16ACYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AVYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +105℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AMA35 48-BGA 3.3V 0 ℃to +70℃
1Mb 64Kx16 MR0A16ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AVMA35 48-BGA 3.3V -40 to +105C
1Mb 64Kx16 MR0A16AMYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BCYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0D08BMA45 48-BGA 3.3VDD, 1.8IO 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0DL08BMA45 48-BGA 2.7VDD min, 1.8IO 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BCMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
 

本文关键词:Everspin
 
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