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Everspin 256Mb ST-MRAM产品

2018-06-08 14:57:03


Everspin科技公司推出256Mb自旋扭矩技术(ST-MRAM),这是目前市场上商用密度最高的产品,旨在应用于需要使用DDR3和DDR4接口的存储设备和服务器中的持久性内存的应用。
 
存储和服务器OEM厂商一直在评估其ST-MRAM产品,Everspin科技公司将为基于MRAM的存储级存储器(SCM)进一步提高密度,并预计将今年晚些时候基于其专有的垂直磁隧道结(pMTJ)ST-MRAM的1Gb产品。
 
Everspin自2008年以来一直从事MRAM业务。最先推出MRAM产品主要是提供SRAM的替代品,现在已经包括工业,汽车和运输市场中的离散和嵌入式应用MRAM产品。 对于汽车市场,特别是对于需要高带宽和高耐用性的高级驾驶员辅助系统。RAID存储仍然是Everspin成熟的MRAM产品中最大的一部分,约占40%的需求,而35%在工业控制应用。汽车和运输占其余大部分。
 
Everspin将提供独立的ST-MRAM产品和NVDIMM,开始时密度为256Mb,1Gb。
 
从市场来看持续DRAM市场远远大于持续性SRAM市场,而新型高密度256Mb ST-MRAM可用于?;ぐ⊿SD在内的第一级存储器中的热数据。能够?;し尚兄械氖?,而不必担心由于电源不可靠造成的数据损坏以及NAND和其他永久存储器的较慢写入性能。 
 
Everspin将提供分立的ST-MRAM产品和NVDIMM。后者通过消除断电期间所需的DRAM和NAND闪存之间的数据传输来提供改进的可靠性。 256Mb ST-MRAM允许该公司进入基于SSD的存储市场,即将推出1Gb密度。 
 
通用的记忆在解决具体问题方面变得不那么有效。 ST-MRAM比DRAM更适合写缓存。然而,Everspin不直接瞄准DRAM,而是专注于为需要持久存储器的应用取代DRAM。 
 
迄今为止,Everspin一直是唯一一家取得显着商业成功的MRAM公司,尽管还有其他供应商正在研究利基内存。例如,Avalanche技术公司宣布正在采样业界首款采用32 / 64Mbit独立分立STT-MRAM存储器器件的行业首款自旋转矩磁RAM(STT-MRAM)芯片,并采用行业标准SPI基于55nm节点代工过程的接口。
 

本文关键词:Everspin
 
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