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Everspin科技公司并行MRAM芯片MR0A16AVYS35

2018-06-07 14:52:15


全球领先的离散和嵌入式磁阻随机存取存储器开发商和制造商Everspin科技公司(MRAM),Everspin Technologies是一家开发和制造磁性RAM或磁阻随机存取存储器(MRAM)的公共半导体公司,其中包括独立和嵌入式MRAM产品以及自旋扭矩MRAM(ST-MRAM)。MRAM具有与标准随机存取存储器(RAM)类似的性能特征,同时还具有非易失性存储器的持久性,这意味着如果从系统中移除电源,其不会丢失其电荷或数据。这一特性使MRAM适用于大量嵌入式应用,如需要性能和持久性的汽车和工业应用。

Everspin生产的并行MRAM 1Mbit产品型号为MR0A16AVYS35容量:1Mb,拥有35ns的读/写周期(无写入延迟),数据保持期长达20年以上而不会丢失,并会在掉电时由低压抑制电路自动提供?;?,以防止在非工作电压期间写入。用MRAM替代电池供电的SRAM解决方案,并消除了组装电池以及可靠性问题和不利因素,Everspin Technologies提供MR0A16AVYS35,产品应用于工业,汽车,运输和企业存储市场。

产品型号如下:
Density
Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
1Mb 64Kx16 MR0A16AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 64Kx16 MR0A16ACYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AVYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +105℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AMA35 48-BGA 3.3V 0 ℃to +70℃
1Mb 64Kx16 MR0A16ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AVMA35 48-BGA 3.3V -40 to +105C
1Mb 64Kx16 MR0A16AMYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BCYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0D08BMA45 48-BGA 3.3VDD, 1.8IO 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0DL08BMA45 48-BGA 2.7VDD min, 1.8IO 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BCMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃


本文关键词:Everspin
 
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