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Everspin MR0A16AYS35 并行1Mb非易发性MRAM芯片

2018-06-06 15:04:04


自20世纪90年代以来,MRAM或磁阻随机存取存储器一直在发展中。 基于90年代以来在硬盘驱动器行业使用的相同磁性技术,它是一种新兴技术之一,已被认为是下一代存储器的替代品,可取代DRAM和NAND闪存等半导体行业的中坚力量, 随着行业向小型节点转移,这些企业正面临严峻的规?;粽?。

总部位于亚利桑那州钱德勒的Everspinn科技有限公司是全球领先的设计, 制造嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋转移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生产商,自从Everspin第一款产品进入市场,由于MRAM可以保持数据持久性和完整性、低功耗等特性,在应用程序设计中起到了安全性至关重要的作用,现在在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场应用超过 7000万 MRAM 和 MRAM 产品, Everspin 科技公司为世界上 MRAM 用户建立了最强大、最迅速的基础。

Everspin Technologies MR0A16AYS35为1,048,576位磁阻随机存取存储器 (MRAM)。MR0A16AYS35拥有35ns的读/写周期(无写入延迟),以及出色的耐读/写能力。数据保持期长达20年以上而不会丢失,并会在掉电时由低压抑制电路自动提供?;?,以防止在非工作电压期间写入。对于必须快速、永久地存储和检索关键数据和程序的应用,MR0A16AYS35在较为宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。温度范围0至+70°C),用MRAM替代电池供电的SRAM解决方案,并消除了组装电池以及可靠性问题和不利因素

?如下为1Mb并口MRAM型号表:
Density
Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
1Mb 64Kx16 MR0A16AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 64Kx16 MR0A16ACYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AVYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +105℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AMA35 48-BGA 3.3V 0 ℃to +70℃
1Mb 64Kx16 MR0A16ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AVMA35 48-BGA 3.3V -40 to +105C
1Mb 64Kx16 MR0A16AMYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BCYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0D08BMA45 48-BGA 3.3VDD, 1.8IO 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0DL08BMA45 48-BGA 2.7VDD min, 1.8IO 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BCMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃

本文关键词:Everspin
 
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