"

拉菲彩票官网登录 - 首页 拥有全球最顶尖的原生APP,每天为您提供千场精彩体育赛事,拉菲彩票官网登录 - 首页 更有真人、彩票、电子老虎机、真人电子竞技游戏等多种娱乐方式选择,拉菲彩票官网登录 - 首页 让您尽享娱乐、赛事投注等,且无后顾之忧!

"
联系我们
发送邮箱
主页 ? 新闻资讯 ? 新闻动态 ? 140层 3D NAND层数何时能实现?

140层 3D NAND层数何时能实现?

2018-06-04 14:08:57

预计到2020年,3D存储堆叠可以做到120层甚至更高,2021年可以达到140层以上,是目前主流64层的两倍还多。
 
目前,各大厂商都在加大力度研发3D NAND,想办法尽可能地提升自己闪存的存储密度。
 
东芝及西数已计划在今年量产新的96层BiCS4 储存芯片,三星也在发展QLC NAND 芯片,将会在第五代NAND技术实现96层这一目标。
 
3D NAND技术在现在已经广泛被使用,其设计与2D NAND 相反,储存器单元不是在一个平面内,而是一个堆叠在另一层之上,这种方式可以让每颗芯片的储存容量明显增加,并且不用增加芯片面积或者缩小单元,使用3D NAND可以实现更大的结构和单元间隙,这可以增加产品的耐用性。
 

 
但是,3D NAND技术也表明,增加存储空间就需要不断的增加堆叠层数。而层数的增加也意味着对工艺、材料的要求会提高,要想达到140层堆叠就必须使用新的基础材料。而且在堆叠层数增加的同时,存储堆栈的高度也在增大,然而每层的厚度却在缩小,以前的32/36层3D NAND的堆栈厚度为2.5μm,层厚度大约70nm,48层的闪存堆栈厚度为3.5μm,层厚度减少到62nm,现在的64/72层闪存堆栈厚度大约4.5μm,每层厚度减少到60nm,而到了140+层,堆叠厚度将增至大约8微米,每对堆叠层则必须压缩到45-50nm,每升级一次堆栈厚度都会变成原来的1.8倍,而层厚度会变成原来的0.86倍。
 
随着3D NAND层数不断提高,其工艺难度可想而知。事实上,降低单位容量生产成本的方式,还包括改善数据储存单元结构及控制器技术。目前,存储单元的结构类型分为以下几种:SLC、MLC 、TLC 、QLC。
 
SLC单比特单元(每个Cell单元只储存1个数据),因为稳定,所以性能最好,寿命也最长(理论可擦写10W次),成本也最高,是最早的顶级颗粒。
 
MLC双比特单元(每个Cell单元储存2个数据),寿命(理论可擦写1W次)、成本在几种颗粒中算是均衡的。
 
TLC三比特单元(每个Cell单元储存3个数据),成本低,容量大,但寿命越来越短(理论可擦写1500次),是目前闪存颗粒中的最主流产品。
 
QLC四比特单元(每个Cell单元储存4个数据),成本更低,容量更大,但寿命更短(理论可擦写150次),想成为接替TLC的产品还急需解决很多问题。
 
不过,最近美光与英特尔已经率先采用QLC技术,生产容量高达1Tb、堆叠数为64层的3D NAND,目前该产品已用于SSD出货,美光与英特尔强调,此为业界首款高密度QLC NAND Flash。
 
而尽管三星已完成QLC技术研发,但三星可能基于战略考量,若是太快将其商用化,当前产品价格恐将往下调降,加上三星为NAND Flash与SSD市场领先者,并没有急于将QLC商用化的理由。至于东芝则表示,计划在96层3D NAND产品采用QLC技术。
 
未来NAND Flash产品若采用可储存4四比特单元的QLC技术,可望较TLC技术多储存约33%的数据量,不过,随着每一储存单元的储存数据量增加,寿命亦将跟着降低,为改善这方面的缺点,内存厂商还需要克服很多难题。


本文关键词:存储芯片

相关文章:各大厂商争相量产3D NAND




深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
 
英尚微电子中国区指定的授权代理:VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半导体品牌的专业分销商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
 
更多资讯关注SRAMSUN.   www.coupongem.com         0755-66658299

展开
拉菲彩票官网登录 - 首页