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各大厂商争相量产3D NAND

2018-06-01 14:55:51

三星计划在今年提升64层3D NAND产品的比重,并计划在年内在华城、平泽的工厂抢先量产96层3D NAND产品,甚至还计划抢先竞争对手,开始投入128层3D NAND的研发量产工作。
 
三星的这一系列举动也许将彻底使NAND Flash高层堆叠市场战争爆发,美、日、韩等多国的内存大厂都将参战,市场竞争的激烈程度简直无法想象。
 
美光推进64层3D NAND进程非常顺利,东芝、西部数据也从2017下半年开始量产64层3D NAND。与此同时,为了降低NAND Flash生产成本,提升产品的竞争力,美、日、韩等多国的内存大厂近期都在加速更高层堆叠以及QLC四比特单元存储产品的开发。
 
全球NAND Flash第二大厂东芝已于2017年6月与西数同时宣布,采用BiCS4技术的96层3D NAND已完成研发。现在,随着东芝半导体事业出售案落下实锤,业内普遍认为,未来东芝将会在NAND Flash突飞猛进。
 
而美光与英特尔合作开发的NAND Flash产品,也在最近传出了96层3D NAND研发顺利的消息。
 
至于SK海力士,2017年7月,就已经开始大规模生产72层(第四代)3D NAND闪存芯片。虽然目前SK海力士在NAND Flash领域排名落后,但是SK海力士也决定在2018年完成96层3D NAND产品研发。


本文关键词:3D NAND闪存

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