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Everspin 推出4MB 并口MRAM芯片MR2A08AYS35

2018-05-30 14:26:41


磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品的领导厂商Everspin科技公MRAM产品中其中4MB 并口MRAM芯片,用于无电数据保持以及SRAM性能的应用,具有非挥发性、高性能以及高可靠性优势。Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合,以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品发展蓝图,我们将不断提高MRAM产品的容量,并以极具成本效益的方式保持MRAM的独有特性。
 
MR2A08AYS35是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM,其超短的存取周期仅为35ns,并允许无限制的读/写循环。在每次写入后,资料能持续保存超过20年。此外,与其他存储器不同,MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软错误率SER(SoftError Rate)。MR2A08AYS35采用8 mm x 8 mm 48引脚球栅阵列 (BGA) 封装(球中心距为0.75mm)??梢杂虢闲〉牡凸腟RAM以及其他非易失性RAM兼容。用MRAM替代电池供电的SRAM解决方案,无需组装电池,也了提高可靠性。
 
MR2A08AYS35典型的应用包括计算机存储系统及服务器、工业自动化和机器人、电能管理、交通以及军用/航空系统。
 
本文关键词:Everspin
 
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