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Everspin 非挥发性存储芯片MR2A16AMYS35

2018-05-28 15:21:31


自20世纪90年代以来,MRAM或磁阻随机存取存储器一直在发展中。 基于90年代以来在硬盘驱动器行业使用的相同磁性技术,它是一种新兴技术之一,已被认为是下一代存储器的替代品,可取代DRAM和NAND闪存等半导体行业的中坚力量,磁阻随机存取存储器(MRAM)技术先驱——Everspin推出4MB并行总线接口的MRAM芯片MR2A16AMYS35。
 
这款并行MRAM芯片采用符合RoHS标准的44芯TSOP II型封装,为262,144字 x 16位的4,194,304位MRAM,数据保持期长达20年以上而不会丢失,并会在掉电时由低压抑制电路自动提供?;?,以防止在非工作电压期间写入。MR2A16AMYS35能够在扩展级(-40至+105 °C)温度范围内工作,并在整个温度范围内保持高度可靠的数据存储能力。

Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合,以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品发展蓝图,我们将不断提高MRAM产品的容量,并以极具成本效益的方式保持MRAM的独有特性。”MRAM是一种非易失性存储技术,主要用来扩展μC/OS-II功能。在不需要电能的情况下可以保留存储内容至少十年。就无法满足系统健壮性要求,

?表为并行MRAM型号产品列表

Density
Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
4Mb 256Kx16 MR2A16AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 256Kx16 MR2A16ACYS35 44-TSOP 3.3V -40 ℃to +85℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AVYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +105℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AMYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 256Kx16 MR2A16ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AVMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +105℃
4Mb 512Kx8 MR2A08AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 512Kx8 MR2A08ACYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
4Mb 512Kx8 MR2A08AMYS35 44-TSOP 3.3V -40 ℃to +125℃
4Mb 512Kx8 MR2A08AMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 512Kx8 MR2A08ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃

本文关键词:Everspin
 
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