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Everspin MR2A16ACYS35 4MB并行MRAM

2018-05-25 14:43:59


前身为飞思卡尔半导体半导体产品部的Everspin Technologies公司已将4Mb M_作为标准产品,并对客户进行批量供货,这款名为MR2A16ACYS35的产品存取时间为25及30纳秒,具体参数可以看考规格书,Everspin Technologies公司是全球领先的分立和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋扭矩MRAM(ST-MRAM)的设计,制造领导者,其市场和应用领域的数据持久性和完整性 ,低延迟和安全性至关重要。 凭借在数据中心,云存储,能源,工业,汽车和运输市场部署的超过7000万个MRAM和ST-MRAM产品,Everspin建立了世界上MRAM用户最强大,发展最快的基础。
Everspin MR2A16ACYS35为524,288字 x 8位的4,194,304位磁阻随机存取存储器 (MRAM)。数据保持期长达20年以上而不会丢失,并会在掉电时由低压抑制电路自动提供?;?,以防止在非工作电压期间写入。对于必须快速、永久地存储和检索关键数据和程序的应用。

Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合,以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品发展蓝图,我们将不断提高MRAM产品的容量,并以极具成本效益的方式保持MRAM的独有特性。”

?以下产品列表为4Mb并行MRAM

Density
Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
4Mb 256Kx16 MR2A16AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 256Kx16 MR2A16ACYS35 44-TSOP 3.3V -40 ℃to +85℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AVYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +105℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AMYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 256Kx16 MR2A16ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AVMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +105℃
4Mb 512Kx8 MR2A08AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 512Kx8 MR2A08ACYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
4Mb 512Kx8 MR2A08AMYS35 44-TSOP 3.3V -40 ℃to +125℃
4Mb 512Kx8 MR2A08AMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 512Kx8 MR2A08ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃

本文关键词:Everspin
 
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