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       Nand-flash内存是flash内存的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
JSC济州半导体是全球最大的移动应用解决方案提供商之一的NAND FLASH厂家。
 由于济州半导体出道到SRAM(静态随机存取存储器)和4M SRAM及NAND FALSH产品,济州半导体持续实施全系列NAND FLASH产品通过4Gb、2Gb、1Gb NAND FALSH。
济州半导体的NAND FALSH是建立在强大的存储单元的技术,以高质量,高稳定,高品质的产品优势获得广大客户的认可,济州半导体存储器产品已被公认为最强大的存储解决方案,可以稳定地运行任何严谨的环境下可以通过移动手机。济州半导体是由世界领先的手机制造商公认的一个最可靠的NAND FALSH制造商。除了手机应用,济州半导体NAND FALSH提供产品应用在全世界。
Density Bus Part number ECC Voltage Package Type Type PDF下载
4Gb x8 JS27HU4G08SDN-25 4-bit 3.3V 48 TSOP1 (12 x 20mm) SLC 暂无
4Gb x16 JS27HU4G16SDN-25 4-bit 3.3V 48 TSOP1 (12 x 20mm) SLC 暂无
4Gb x8 JS27HU4G08SDDA-25 4-bit 3.3V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC 暂无
4Gb x16 JS27HU4G16SDDA-25 4-bit 3.3V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC 暂无
2Gb x8 JS27HU2G08SAN-25 1-bit 3.3V 48 TSOP1 (12 x 20mm) SLC 暂无
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2Gb x16 JS27HU2G16SCDA-25 4-bit 3.3V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC 暂无
2Gb x8 JS27HP2G08SCDA-45 4-bit 1.8V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC 暂无
1Gb x8 JS27AP1G08SSDA-42 1-bit 1.8V 63B (9 x 11 mm) SLC 暂无
1Gb x16 JS27AP1G16SSDA-42 1-bit 1.8V 63B (9 x 11 mm) SLC 暂无
1Gb x8 JS27AP1G08SSDF-42 1-bit 1.8V 67B (8 x 6.5 mm) SLC 暂无
1Gb x8 JS27HU1G08SAN-25 1-bit 3.3V 48 TSOP1 (12 x 20mm) SLC 暂无
1Gb x16 JS27HU1G16SAN-25 1-bit 3.3V 48 TSOP1 (12 x 20mm) SLC 暂无
1Gb x8 JS27HU1G08SADA-25 1-bit 3.3V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC 暂无
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1Gb x8 JS27HU1G08SADF-25 1-bit 3.3V 67B (8.0mm x 6.5mm) SLC 暂无
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